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场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）功耗低的原因与其工作原理和特性有关。
1、工作原理：场效应管是通过电场效应来控制电流的器件，它不需要像晶体管那样加热到高温才能导电，因此没有像晶体管那样的热损耗问题，场效应管的输入阻抗非常高，这意味着在信号传输过程中，其内部电阻造成的能量损失较小，场效应管能够以较高的效率运行，从而降低了功耗。
2、特性：场效应管具有较低的噪声系数和较高的放大倍数，这使得它在许多应用中比晶体管具有更高的性能优势，场效应管的制造过程中可以精细控制其参数，以实现更精确的电流和电压控制，这也有助于降低功耗。
至于场效应管的最大耗散功率，它是指在特定条件下，场效应管能够承受的最大功率耗散值，这个值通常与器件的散热设计、最大结温、热阻等参数有关，在设计电路时，必须确保实际使用中的功率不会超过场效应管的最大耗散功率，以确保器件不会因过热而损坏。
场效应管的低功耗与其工作原理和特性有关，而最大耗散功率是评估场效应管性能的一个重要参数，设计时需考虑其实际使用条件以确保安全。